相比于等离子清洗之前测定的初始电压，亲水性疏水性测定老炼后的输出电压略有下降，这是等离子清洗后芯片退火不彻底，在125 ℃、168 h的加热条件下诱导下退火过程持续进行，输出电压进一步下降。5、氮化硅膜芯片在多次等离子清洗后未出现钝化膜起皱的现象。因此，对于聚酰亚胺膜的芯片，需控制等离子清洗的次数，
