其基本原理是在真空低气压下，表面处理活化工艺将射频电源产生的射频输出到环形耦合线圈，通过辉光放电与一定比例的混合蚀刻气体耦合，产生高密度等离子体。在下电极RF射频的作用下，这些等离子体轰击衬底表面，衬底图形区半导体材料的化学键断裂。挥发性物质随蚀刻气体产生，以气体形式离开基板并从真空管路抽走。。中频
