从湿法清洗和等离子处理后的 RHEED 图像中发现，线缆plasma蚀刻设备湿法处理后的 SiC 表面分散。这表明湿处理后的 SiC 表面不平整，有局部突起。等离子处理的 RHEED 图像有条纹，并且显示出非常平坦的表面。传统湿法处理的 SiC 表面上存在的主要污染物是碳和氧。这些污染物可以在低温下
