在射频电源产生的热运动作用下，等离子刻蚀的原理带负电荷的自由电子由于质量小，运动速度快，到达阴极快；而正离子由于质量大、速度慢，不能同时到达阴极，从而在阴极附近形成带负电荷的鞘层。在鞘层的加速作用下，正离子垂直轰击硅片表面，加速表面化学反应和反应产物的分离，产生较高的刻蚀速率。离子轰击也使各向异性蚀
