发现将ICP金属蚀刻反应室的高度从8厘米降低到5厘米显着提高了晶片表面的电场强度。等离子体密度的增加会导致电荷充电并对设备造成严重损坏。 (2) 等离子体局部不均匀。在均匀等离子体中，等离子体理论基础pdf下载离子和电子电流在一个 RF 循环中局部平衡，栅极氧化物电位很小，而在异质等离子体中，局部尺
