在亚微米时代，涂料附着力划圈法四乙基硅酸盐氧化物(TEOS氧化物)直接沉积在栅上，蚀刻停止在源漏硅上，形成侧壁。这种方法的问题在于，它会造成硅的损伤。所以当装置减少到一定程度时，泄漏就会不可控。m时代，由于TEOS氧化硅侧壁不能满足工艺需要，后来又开发了氮化硅侧壁。Si3n4侧壁也称为Si3n4侧壁
