在接触孔技术工艺整合的发展历程中，氮化硅亲水性还是疏水性两个重要的里程碑是65nm技术结点开始使用 NiSi(金属镍硅化物)代替之前的CoSi(金属钴硅化物)作为接触金属以降低接触电阻、减少信号延迟，以及从45nm 技术结点开始使用高应力的氮化硅材料改善器件的性能并作为接触孔蚀刻停止层(Contac
