...平带电压、漏电流等参数。具有天线器件结构的大面积离子收集区（多晶或金属）通常位于厚场氧化物上，隧道内的附着力是什么意思因此只需考虑隧道电流对薄栅氧化物的影响。收集区的大面积称为天线，带天线的器件的隧穿电流放大系数等于厚场氧化物收集区面积与氧化层面积之比栅极氧化物。该面积称为天线比。如果栅氧化区
