不同有源区宽度下多晶硅高度与台阶高度的关系表明，达因值与粘接力的关系栅刻蚀时有源区尺寸与台阶高度有密切关系。不同有源区宽度下，多晶硅和多晶硅在曝光和蚀刻前后随表面形貌的特征尺寸不同，说明等离子体表面处理器蚀刻工艺的蚀刻偏差（蚀刻偏压）也随有源区宽度不同而不同。。等离子表面处理器的味道对人体有害吗？电
