) 出现在结构上. 处理. 可以用氢等离子表面处理设备处理. 表面碳污染已被有效去除. 暴露在空气中30分钟后, 用氢等离子表面处理设备处理. 氧含量发现碳化硅表面明显低于常规湿法清洗方法处理的表层，表面改性强化的目的表层的抗氧化性大大提高，进行了欧姆接触低界面条件的MOS器件的生产. 它是基础。。
