另一方面，薄膜印刷可以不用电晕处理吗IMEC发现在低至-70℃的超低温刻蚀温度下没有碳耗尽层，侧壁含有C、H、O的反应副产物在超低温下液化并渗透到低K薄膜的孔隙中，阻止了电晕损伤。增加金属丝间距，提高间距的均匀性可以有效地改善TDDB。碳耗尽层由于K值较高需要尽可能去除，因此减小电晕损伤导致的碳耗尽
