当由于光刻工艺的限制，科目四隧道内附着力减小逻辑电路的极限降低到45NM/40NM以及更先进的工艺技术节点时，工艺集成通常要求蚀刻后的接触孔极限降低40NM左右。 （尺寸偏移）我们开始使用多层掩模蚀刻技术，与蚀刻前的尺寸相比。在接触孔蚀刻工艺中，如此显着的尺寸减小对在高纵横比的情况下确保接触孔开口提
