用SiH4+N2O〔或Si(OC2H4)+O2 〕,制成SiOxHy。气压1～5托（1托≈133帕），硅烷处理附着力电源13.5兆赫。氮化硅沉积用SiH4+SiH3+N2。温度300℃，沉积率约180埃／分。非晶碳化硅膜由硅烷加含碳的共反应剂得SixC1+x：H，x 是Si/Si+C比例。硬度大于2
