在这个鞘层的加速作用下,特氟龙等离子体除胶正离子会直直地轰击硅片表面,然后表面化学反应加快,反应产物分离,所以刻蚀速度极快,离子轰击还会实现各向异性刻蚀。等离子清洗操作方法:将待清洗的薄膜穿入石英舟内平行气流方向推入真空室两电极之间,抽真空至1.3Pa,引入适当氧气,保持真空室压力在1.3-13Pa