已知，涂膜附着力破坏面积表面杂质C的存在是半导体MOS器件制造或欧姆接触的主要障碍。如果经过等离子体处理后Cls的高能尾部消失，即cc-H污染消失，则更容易制备高性能欧姆接触和MOS器件。同时发现未经等离子体处理的SiC表面的Cls峰相对于等离子体处理后的SiC表面迁移了0.4 eV，这是由于表面存
