在常规电路设计中，流延膜做电晕处理对人有害吗栅极端子一般需要通过多晶或金属互连引出作为功能输入端，相当于在弱栅氧化层上引入天线结构，因此单管器件在正常流场和WAT监测中的电学测试和数据分析不能反映低温电晕处理器在电路中的实际损坏情况。氧化层在3nm以下继续变薄，基本不需要考虑电荷损伤问题，因为对于厚
