碳化硅相氮化碳(g-C3N4)仅由C.N组成，碳表面亲水性原料廉价，制备方法简单，能带位置合适，光学性能好，热稳定性和化学稳定性优异。然而，当光照射氮化碳表面产生电子和空穴时，由于复合率较高，光生电子在到达半导体器件与电解质界面之前就发生复合，这将大大影响光催化效率。科学家们试图通过掺杂金属元素或非
