反应扩散模型能很好地解释NBTI效应界面态增加引起的Vth漂移和NBTI恢复现象。PMOS为负栅偏置，半导体等离子体蚀刻机器SiO2层中的电场方向远离界面。如果Si-H键在设备运行过程中断裂，H+离子将被释放，留下带正电的界面状态。H+漂移方向远离Si/SiO2界面，SiO2中H+离子浓度开始增加，
