当硬掩模的有效高度不够时，刻蚀机和光刻机的区别是什么硅锗缺陷也会在顶部多晶硅上生长，因此控制FinFET多晶硅中的刻蚀轮廓形貌尤为重要。作为三维晶体管，刻蚀多晶硅必须考虑沟道因素，鳍片本身是体硅材料。等离子体表面处理器蚀刻多晶硅时，虽然有氧化硅保护，但仍需考虑鳍片本身损失。在刻蚀过程中，通常在距鳍片
