经处理的 SI-C/SI-O 的 XPS 峰强度比（面积比）为 0.21，icp等离子刻蚀与未经等离子体处理的情况相比降低了 75%。湿处理表面的 SI-O 含量明显高于等离子处理表面。高能电子衍射（根据 RHEED 分析，等离子处理后的 SIC 表面比常规湿处理的 SIC 表面更平整，处理后表面出
