目前业界使用的传统等离子框机等离子刻蚀机即使使用低离子能量，eva树脂opp膜附着力也只能将等离子电子温度控制在20EV。使用优化的侧壁蚀刻工艺，对 CH3F 气体进行 50% 的过蚀刻，对 SiGe 基材造成高达 15% 的损坏。为了减少对基体材料的破坏，必须进一步降低电子温度以降低等离子体电位，
