目前，SBS对p C的附着力主要使用被广泛研究的GE2SB2TE5（GST）等硫属化物（CHALCOGENIDE）。其结晶时间可小于 NS。等离子清洁剂蚀刻在相变存储单元图案化中更重要的应用是下电极接触孔等离子清洁剂蚀刻和相变材料（GST）等离子清洁剂蚀刻。。再转化为结晶相则需要让中等的电流脉冲通过
