这些污染物可以在低温下与H原子反应，CCP清洗仪并以CH和H2O的形式从表面去除。等离子体处理后的表面氧含量显著低于传统湿法清洗后的表面。我们知道表面杂质C的存在是制造半导体MOS器件或欧姆接触的主要障碍。如果等离子体处理后Cls的高能尾消失，即CC-H污染消失，将更容易制作高性能欧姆接触和MOS器
