经过湿法处理的表面Si-O的含量明显高于经过等离子体处理的表面。高能电子衍射(RHEED分析发现等离子处理后的SiC表面比传统湿法处理的SiC表面更加平整，高能束表面改性缺点而且处理后表面出现了(1x1)结构。清洗时，高能束表面改性的共同特点高能电子与活性气体分子碰撞解离或电离，利用产生的各种粒子撞
