由于硅损伤会降低器件的饱和电流，饱和聚酯怎样增加附着力因此在任何多晶硅栅刻蚀中都必须严格控制体硅损伤。等离子体表面处理器多晶硅栅刻蚀引起体硅损伤的原理由于考虑有效氧化层厚度(EOT)，当工艺低于65nm时，栅氧化层薄至1～2纳米。然而，饱和聚酯附着力问题当探针的电压发生变化时，其有效收集面积也会发生
