因此，隧道内附着力小吗可以提高存储器的面积和性能。1T1M(One Transistor One MTJ）自旋转移矩磁存储器存储单元结构，通过字线和晶体管选择磁隧道结后，通过位线进行写入操作。自旋转移矩磁存储器的制作也是通过在标准CMOS逻辑电路后端金属连接层中间嵌入存储单元（磁隧道结）来实现的。集
