但是它也同时带来了电荷损伤，隧道内附着力减小么随着栅氧化层厚度的不断降低，这种损伤会越来越影响到MOS器件的可靠性，因为它可以影响氧化层中的固定电荷密度、界面态密度、平带电压、漏电流等参数。带天线器件结构的大面积离子收集区(多晶或金属)一般位于厚的场氧之上，因此只需要考虑薄栅氧上的隧道电流效应。大面
