经过湿法处理的表面Si-O的含量明显高于经过等离子体处理的表面。高能电子衍射(RHEED分析发现等离子处理后的SiC表面比传统湿法处理的SiC表面更加平整，镀锌层附着力差原因分析而且处理后表面出现了(1x1)结构。这种分析过程通常用于半导体制造中的 EDP 监控。图2 下图显示了电容耦合等离子体激发
