等离子体表面治疗仪鳍片场效应管多晶硅栅的刻蚀；FinFET仍然使用28nm平面晶体管中的双图形方法来定义栅极线和线端。FinFET与平面晶体管的区别在于，达因值32与34区别FinFET是三维晶体管，多晶硅栅横跨鳍片，这就造成了等离子体表面处理器刻蚀过程中的工艺差异。多晶栅刻蚀后的轮廓形貌对后续工艺
