电晕还发射真空紫外(VUV)，覆膜机电晕处理低K吸收这些高能光子，导致化学键断裂，可能在表面形成低能导电通道。这些由电晕引起的缺陷在TDDB测试中会成为电荷陷阱，在应力作用下陷阱电荷，导致介质表面势垒降低，从而加速介质击穿。尼科尔S等研究表明，在不同电场强度下，经ECR电晕处理或VUV辐照的低K材料
