这些离子和电子电流由暴露于等离子体的金属收集并集中在多晶硅或铝栅电极上。此时，金属膜层附着力差的原因金属层的作用是“天线”，可视为栅氧化层。作为电容器。随着收集更多电荷，栅极电压变得越来越高，导致栅极氧化层中的 FN 隧穿。 FN电流的作用导致与栅氧化层的界面出现缺陷，导致IC良率降低，加速热载流子
