因此，脉冲电晕电晕化学处理为了解决体硅损伤问题，必须降低加速氢离子的电场强度。当偏压从80V降低到60V时，在保持多晶硅栅侧壁形貌的前提下，体硅损伤可从8.5A降低到6.3A。与传统的电晕表面处理器连续电晕相比，电晕表面处理器脉冲电晕可以有效降低电场强度。在同步脉冲电晕中，体硅损伤层厚度仅为连续电晕
