一些粒子也被注入到材料表面，纳米氧化铝表面改性工艺引起碰撞、散射、激发、位错、异构化、缺陷、结晶和非晶化，从而改变材料的表面性质。随着半导体技术的发展，湿法刻蚀由于其固有的局限性不能满足微米或纳米细线的超大型集成电路的加工要求，逐渐制约了它的发展。多晶硅晶片等离子清洗设备的干法刻蚀方法由于具有离子密
