对于等离子体表面处理器的超低温等离子刻蚀，硅片清洗机操作说明可以从基本原理上克服这一问题。超低温蚀刻工艺，将硅片或图形硅基板冷却到-℃左右，然后用SF6/O2等离子体进行腐蚀。一些含有SiOxFy的无机副产物仍然被吸附，并在图形的侧壁形成保护层。当反应加热到室温时，这些副产物将在离子轰击的条件下被去
