低偏压无法获得足够高度的纳米结构，电晕机放电架间隙也就是说图案底部会有大的倾斜侧壁甚至毛发原始蚀刻终止，但高偏置电压会消耗含铁&ldquo；作为面具；内核&rdquo；也很难获得理想的图形。比较中性粒子刻蚀法刻蚀GaAs半导体的损伤，光强越高，损伤越严重。在窄间隙定义中，中性粒子的损伤力小于连续电晕
