附:达摩院2021年度十大科技趋势以氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)为代表的第三代半导体，氮化钛镀层附着力具有耐高温、耐高压、高频率、高功率、抗辐射等优良特性，但受工艺、成本等因素的影响，多年来应用范围有限。近年来，随着材料生长、器件制备等技术的不断突破，第三代半导体的性价比优势逐渐显现，并正在开
