然后通过光刻工艺，氟材料等离子体刻蚀将NMOS区域覆盖光敏电阻，并将PMOS区域曝光。然后需要在PMOS区域形成侧壁。等离子体处理器侧壁的主刻蚀一般使用CF4气体刻蚀掉大部分的氮化硅，而不接触下层衬底上的硅。采用Ch3f /O2气体进行过刻蚀，获得氮化硅对氧化硅的高选择性刻蚀率，并通过一定量的过刻蚀
