已发现表面层中杂质 C 的存在是制造半导体 MOS 器件或欧姆接触的主要障碍。欧姆接触和MOS器件的性能。发现等离子处理后CI的高能尾消失，提高消失模涂膜附着力未经等离子处理的SiC表面的Cls峰与等离子处理后的Cls相比偏移了0.4 ev。这是由 C/ 的存在引起的。表面 CH 化合物。无氢等离子
