在二次电子释放时,附着力的表达式若电场换向,达到相一致,则可有效增强电离。冲波效应是电离强化的另一个证据机制,通常认为,在高频交变电场的作用下,等离子体处理设备电极鞘层界面电子的“冲波”现象可以有效地增强电离,一般表现为等离子体处理设备鞘电压和鞘层持续波动变化。已有的计算和论