此类间隔物也称为氮化硅间隔物或氮化硅/氮化硅（氧化物SIN，半导体等离子体去胶ON）间隔物。 0.18M时代，这个氮化硅侧壁的应力太高了。如果它很大，饱和电流会降低，泄漏会增加。为了降低应力，需要将沉积温度提高到700℃，这增加了量产的热成本，也增加了泄漏。所以在0.18M时代，选择了ONO的侧墙。
