上下电极(BE、Metal C、 Metal D)和阻变层都是在逻辑后段工艺中会使用到的材料；阻变层的HfO2，侧向附着力 电极材料TiN、Ti 和W都是逻辑工艺常用材料，无交叉污染问题。 目前阻变存储器仍多使用等离子清洗机RIE/ICP蚀刻，面临着存储单元蚀刻剖面过于倾斜，金属电极蚀刻后严重的侧向
