电晕刻蚀对低K TDDB的影响；在先进工艺节点，电击器将人电晕怎么处理背面金属层中的电介质间距降低到纳米以下，为降低RC延迟而引入的低K材料大大降低了电介质的力学性能，增加了缺陷。这些不利因素导致金属互连线之间的介电击穿问题越来越严重。前面我们讨论了栅氧化层的TDDB。低K的TDDB与之相似，但也有
