首先，漆膜附着力试验胶带宽度第一次曝光和蚀刻形成一个长线图案，通常称为P1。然后进行第二次曝光工艺，通常使用具有含硅底部抗反射层的夹层结构工艺。即首先采用旋涂工艺沉积底层，以达到平整的目的。具有含硅底部抗反射层的中间层；用于旋涂光刻胶和切孔曝光工艺。在通常称为 P2 的蚀刻工艺中切割多晶硅栅极。这种
