主要控制要求是 SiO2/Si3N4 蚀刻工艺的尺寸减小一致性、边缘粗糙度控制、晶圆之间的尺寸减小均匀性以及光刻胶缩小工艺的每个循环中的光刻胶选择性。步宽的精度决定了后续的接触孔能否正确连接到指定的控制栅层。每个台阶的宽度（即每个控制栅层的扩展尺寸）都在数百纳米量级，锂电池清洗机工艺以便后续的接触孔
