对焙烧后通孔接触电阻分别增加85%和200%的样品的TEM图像显示，电晕处理办法当空腔位于通孔正下方时，电阻的增加幅度更大。根据SM的原理，薄膜沉积工艺对SM有很大的影响，如Cu沉积过程中的微观结构控制、金属阻挡层沉积过程中层下金属的溅射量、电介质的热膨胀系数控制、铜中合金的影响等。刻蚀对SM的影响
