电路板等离子蚀刻清洗设备清除表面材料多晶硅杂质去胶：随着半导体工艺技术的不断发展，气相二氧化硅表面羟基高温活化湿法蚀刻技术由于其固有的局限性已逐渐限制了其发展，已不能满足VLSI微米甚至纳米线材的加工要求。等离子蚀刻清洗设备多晶硅片清洗设备干法蚀刻法由于其产生的离子密度高，蚀刻均匀，蚀刻侧壁垂直度大
