该读数要求通过存储单元的电流足够小，等离子表面活化怎么样以避免影响器件的当前状态。相变材料的性能直接决定了相变存储器的性能。目前研究较多的是硫系化合物，如Ge2Sb2Te5(GST)。结晶时间可小于ns。等离子清洗器蚀刻(PLWE)是相变存储单元图形学中最重要的应用之一，包括下电极接触孔等离子清洗器
