135-3805-8187
硅片刻蚀工艺(硅片刻蚀的目的和原理是什么)

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2、工作压力对等离子清洗效果的影响:工作压力是等离子清洗的重要参数之一。压力的增加意味着等离子体密度的增加和平均粒子能量的降低。通过这种增强,硅片刻蚀的目的和原理是什么等离子系统的清洁速度主要由物理影响决定,尽管等离子清洁系统的效果尚不清楚。此外,压力的变化可能会改变等离子清洗反应的机理。例如,在硅