例如硅片刻蚀工艺中使用的CF4/O2等离子在低压下起主导作用，硅片刻蚀随着压力的升高，化学刻蚀不断加强，逐渐起主导作用。..电源功率与工作频率对等离子清洗效果的干扰：电源的输出功率会干扰等离子的所有参数，如电极温度、等离子产生的自偏压、清洗效率等。随着输出功率的增加，等离子清洗速率逐渐增加并稳定在峰
