此外，电晕机硅胶管是怎么套到辊上的当金属蚀刻接近尾声时，超薄AI膜容易收集负电荷，累积的负电荷在NMOS栅氧化层中引起从衬底到栅的FN电流，损伤栅氧化层。先进技术节点采用的HKMG技术给PID带来了更大的挑战。在电晕赝栅去除工艺中，要完全清除角部多晶硅，需要长时间应用基于NF3/H2气体的过蚀刻，但
